收藏本站
Si7530DP
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
10
T J = 150 °C
0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
0.075
I D = 4.6 A
1
T J = 25 °C
0.050
0.025
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.4
80
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
I D = 250 μA
60
40
T A = 25 °C
Single Pulse
- 0.6
20
- 0.8
- 1.0
0
- 50
- 25
0
2 5
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by I DM
10 Limited by
R DS(on) *
1
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
T ime (s)
Single Pulse Power
0.1
I D(on)
Limited
T A = 25 °C
Single Pulse
100 ms
1s
10 s
0.01
BVDSS Limited
100 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
www.vishay.com
4
Document Number: 73249
S09-0223-Rev. D, 09-Feb-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7620DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
SI7625DN-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SI7629DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
SI7634BDP-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7636DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7655DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212
SI7658ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC
SI7682DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
相关代理商/技术参数
SI7540DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7540DP_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7540DP-T1 功能描述:MOSFET 12V 11.8/8.9A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7540DP-T1-E3 功能描述:MOSFET N-and P-CHANNEL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7540DP-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI7540DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET N/P-Ch MOSFET 12V 17/32mohomS@4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI-7600 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:3-Phase Stepper Motor Driver ICs
SI-7600D 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:3-Phase Stepper Motor Driver ICs